資料:4件
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半導体工学
- １．シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギーギャップは1.11[eV]程度である...
550 販売中 2007/07/20- 閲覧(3,045)
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ディジタルICの分類
- ディジタルICの分類 ディジタルICの種類と特徴についてまとめた (3),(4)。 ディジタルICは、半導体基盤内部に形成された能動素子がnpnやpnpなどのバイポーラ形素子から作られているバイポーラICとMOSなどのユニポーラ形素子から作られているユニポーラICとに大別される。また、バ...
全体公開 2009/09/05- 閲覧(3,913)
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半導体微細化の危機
- 半導体微細化の危機 半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。 [1]http://aawbite.com/ITEC205/1240_Moores.htm 「半導体の集積密度は 18 ～ 24 ヶ月で倍増する」 過去にも何度か技術的課題に突き当たりながらも、ムーアの 法則とよばれる半導体集積...
- 550 販売中 2008/09/16
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半導体デバイスの基礎特性
- 目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイスの動作原理の理解を深める． 理論 pn接合 順方向電流-電圧(I...
- 550 販売中 2009/05/21
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