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グループタグ / 理工学
( 7件 )
Fourierの形式解
Fourierの形式解は となることを示せ( ) フーリエの形式解は、 と書き表され、式を展開すると、 となる。 上式の第一項目を加法定理を用いて変形すると、 (ここで、 とした。) -----------① ------② ①、②よりFourierの形式解は、 となる。
レポート
理工学
フーリエ
形式解
応用数理
証明
解答
550
販売中 2007/07/21
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tkat
オットーサイクル、ディーゼルサイクルでの効率ηの導出
オットーサイクル、ディーゼルサイクルでの効率ηの導出 1.オットーサイクル U Q W A→B nCv(TB-TA) Q1 0 B→C 0 C→D -nCv(TD-TC) -Q2 0 D→A 0 UAB = nCv(TB-TA) UCD = -nCv(TD-TC) Q1 = UAB Q2 = -UCD WBC = ...
レポート
理工学
物理
熱力学
関係式
ディーゼル
オットー
550
販売中 2009/05/20
閲覧(7)
tkat
量子力学B
1(a)Z軸の正の方向に電界をかけ、電界中におかれた水素原子の基底状態には1次の摂動エネルギー変化がないことを証明せよ。 よって、1次の摂動エネルギー変化がない (b) 積分 を計算せよ (c)n=2の状態のみを考慮した場合の二次の摂動エネルギーを求めよ。 同様に、 、 となる。 よって、n=2の状態のみを考慮した場...
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理工学
量子
物性物理
阪大
基礎工学部
550
販売中 2007/07/21
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tkat
半導体工学
1.シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギーギャップは1.11[eV]程度である。...
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理工学
半導体
フェルミ
トランジスタ
演習
解答
550
販売中 2007/07/20
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tkat
微分演算子法
微分演算子法 定義 まず最初に、 をDと書いて演算子という。 例えばn回微分可能な関数をy=y(x)とする。ここでDyはyを1回微分するということであり はyを2回微分するということである。 と書いたらyを積分することである。 を逆演算子という。 解法 定数係数線形微分方程式 は演算子を とおいて与式の特殊解をy1...
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理工学
運算子
山辺
微分
積分
演習
550
販売中 2007/07/20
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1
tkat
二次系のインパルス応答
制御工学課題 ~二次系のインパルス応答~ 二次系のインパルス応答 伝達関数 のとき のとき のとき、
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理工学
制御
インパルス応答
二次系
電気
550
販売中 2007/07/20
閲覧(3)
tkat
分極率α0の導出
電気材料 分極率α0の導出課題 エネルギーUはトルクτ×角度より求まるので、θ=90のときからθ=0にまで移動したとすると、 これを用いて配向分極率P0は個々の双極子のEi方向の成分(μcosθ)の和を求めればよい。 ここで、 となることが分かっている。 よって、 上式を用い、配向分極率をα0とすると、 ここで...
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理工学
ランジバン
分極
トルク
電子
配向
550
販売中 2007/07/20
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tkat
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